창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFZ48N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRFZ48N | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 69A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 160W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001518286 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFZ48N | |
| 관련 링크 | AUIRF, AUIRFZ48N 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | TV30C260JB-G | TVS DIODE 26VWM 42.1VC SMC | TV30C260JB-G.pdf | |
![]() | TNPW2512330RBETG | RES SMD 330 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512330RBETG.pdf | |
![]() | 69170A1 | 69170A1 LSI BGA | 69170A1.pdf | |
![]() | RFB0807-2R2L | RFB0807-2R2L COILCRAFT DIP | RFB0807-2R2L.pdf | |
![]() | LQW2BHN2N7D11L | LQW2BHN2N7D11L MURATA SMD | LQW2BHN2N7D11L.pdf | |
![]() | ZVN1306A | ZVN1306A ZETEX TO-92 | ZVN1306A.pdf | |
![]() | 10056C2T27NJLF | 10056C2T27NJLF PILKOR SMD or Through Hole | 10056C2T27NJLF.pdf | |
![]() | N02L6181AB28I | N02L6181AB28I ON SMD or Through Hole | N02L6181AB28I.pdf | |
![]() | RT3434N | RT3434N SIRECT TSOP-6 | RT3434N.pdf | |
![]() | YG912S6,YG972S6,YG962S6,YG911S2,YG911S2R | YG912S6,YG972S6,YG962S6,YG911S2,YG911S2R FUJI SMD or Through Hole | YG912S6,YG972S6,YG962S6,YG911S2,YG911S2R.pdf |