창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFZ44VZSTRL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFZ44VZS | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 57A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 34A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1690pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 92W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001522838 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFZ44VZSTRL | |
관련 링크 | AUIRFZ44, AUIRFZ44VZSTRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
NGTB25N120SWG | IGBT 25A 1200V TO-247 | NGTB25N120SWG.pdf | ||
IHLP2525CZER2R2M07 | 2.2µH Shielded Molded Inductor 8A 17.73 mOhm Nonstandard | IHLP2525CZER2R2M07.pdf | ||
RT1206CRC07953RL | RES SMD 953 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC07953RL.pdf | ||
AA18343 | AA18343 SOP SMD or Through Hole | AA18343.pdf | ||
EBMS201209B222 | EBMS201209B222 HY SMD or Through Hole | EBMS201209B222.pdf | ||
E70120A | E70120A NO PLCC-44 | E70120A.pdf | ||
M29F002BT | M29F002BT ST SMD or Through Hole | M29F002BT.pdf | ||
MIK2575 | MIK2575 ORIGINAL TO-220 | MIK2575.pdf | ||
UNIONRELITY V15 | UNIONRELITY V15 NS SOP28 | UNIONRELITY V15.pdf | ||
F0541 | F0541 ORIGINAL SMD or Through Hole | F0541.pdf | ||
HYI18TC512800B2F-25F | HYI18TC512800B2F-25F QIMONDA FBGA | HYI18TC512800B2F-25F.pdf | ||
HD6433726SE22F | HD6433726SE22F RENESAS QFP | HD6433726SE22F.pdf |