창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFZ44N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFZ44N | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17.5m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1470pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 94W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001519708 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFZ44N | |
관련 링크 | AUIRF, AUIRFZ44N 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 3413.0115.24 | FUSE BRD MNT 1A 32VAC 63VDC 1206 | 3413.0115.24.pdf | |
![]() | RCH664NP-2R2M | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 3.2A 25.5 mOhm Max Radial | RCH664NP-2R2M.pdf | |
![]() | CFR-25JB-52-3K9 | RES 3.9K OHM 1/4W 5% AXIAL | CFR-25JB-52-3K9.pdf | |
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![]() | P4X | P4X AD MSOP | P4X.pdf | |
![]() | SG-B2 | SG-B2 ORIGINAL SMD or Through Hole | SG-B2.pdf | |
![]() | 216T9CFBGA13FH/M9-CSP64/ATI9000 | 216T9CFBGA13FH/M9-CSP64/ATI9000 ATI BGA | 216T9CFBGA13FH/M9-CSP64/ATI9000.pdf | |
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![]() | SR302A472JAA | SR302A472JAA AVX DIP | SR302A472JAA.pdf | |
![]() | SG710ECK-50.000ML | SG710ECK-50.000ML ORIGINAL SMD | SG710ECK-50.000ML.pdf |