창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFS8409-7P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFS8409-7P | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.75m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 460nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13975pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | IRAUIRFS8409-7P SP001522376 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFS8409-7P | |
관련 링크 | AUIRFS8, AUIRFS8409-7P 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D2R1CXBAJ | 2.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R1CXBAJ.pdf | |
![]() | CRCW04029M09FKTD | RES SMD 9.09M OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04029M09FKTD.pdf | |
![]() | CMF50988R00BHBF | RES 988 OHM 1/4W .1% AXIAL | CMF50988R00BHBF.pdf | |
![]() | Y000710K1000B9L | RES 10.1K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y000710K1000B9L.pdf | |
![]() | CA3006CT | CA3006CT HAR/RCA CAN | CA3006CT.pdf | |
![]() | 101027/1-R2A | 101027/1-R2A ORIGINAL BGA | 101027/1-R2A.pdf | |
![]() | 74F244AP | 74F244AP MOT DIP | 74F244AP.pdf | |
![]() | 2SD1001-T1. | 2SD1001-T1. NEC SOT-89 | 2SD1001-T1..pdf | |
![]() | 341-0650 | 341-0650 AMI DIP | 341-0650.pdf | |
![]() | LT1529UQ-5.0 | LT1529UQ-5.0 LT SMD or Through Hole | LT1529UQ-5.0.pdf | |
![]() | XC3S400ANFGG400-4C | XC3S400ANFGG400-4C Xilinx BGA | XC3S400ANFGG400-4C.pdf | |
![]() | ASD03-24D3 | ASD03-24D3 ASTRODYNE DIP24 | ASD03-24D3.pdf |