창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFS8408-7TRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRFS8408-7P | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 315nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 294W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | IFAUIRFS8408-7TRL SP001522368 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFS8408-7TRL | |
| 관련 링크 | AUIRFS840, AUIRFS8408-7TRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RT0805CRD0744R2L | RES SMD 44.2 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD0744R2L.pdf | |
![]() | CMF6015R000BER6 | RES 15 OHM 1W .1% AXIAL | CMF6015R000BER6.pdf | |
![]() | AAVN | AAVN ORIGINAL 6SOT-23 | AAVN.pdf | |
![]() | B1443-Q | B1443-Q ORIGINAL ATV | B1443-Q.pdf | |
![]() | TA7784AP | TA7784AP TOSHIBA DIP16 | TA7784AP.pdf | |
![]() | 0603CT-4N3XGLW | 0603CT-4N3XGLW COILCRAFT SMD | 0603CT-4N3XGLW.pdf | |
![]() | MT18VDDF12872Y-40BF1 | MT18VDDF12872Y-40BF1 MicronTechnology SMD or Through Hole | MT18VDDF12872Y-40BF1.pdf | |
![]() | DS3678J | DS3678J NSC CDIP16 | DS3678J.pdf | |
![]() | HI-8010L-14 | HI-8010L-14 HOLTIC LCC40 | HI-8010L-14.pdf | |
![]() | C3319/25 | C3319/25 M SMD or Through Hole | C3319/25.pdf | |
![]() | DTC-114EKH20T1 | DTC-114EKH20T1 ROHM SMD or Through Hole | DTC-114EKH20T1.pdf |