창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFS8408-7P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFS8408-7P | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 315nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 294W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | IRAUIRFS8408-7P SP001518804 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFS8408-7P | |
관련 링크 | AUIRFS8, AUIRFS8408-7P 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | PNP200JR-52-3R9 | RES 3.9 OHM 2W 5% AXIAL | PNP200JR-52-3R9.pdf | |
![]() | MB14231 | MB14231 FANUC DIP | MB14231.pdf | |
![]() | SDCL1005C12NJTF(0402-12NH) | SDCL1005C12NJTF(0402-12NH) ORIGINAL SMD or Through Hole | SDCL1005C12NJTF(0402-12NH).pdf | |
![]() | UPD780055GC-055 | UPD780055GC-055 ORIGINAL SMD or Through Hole | UPD780055GC-055.pdf | |
![]() | XCV600-BG560 | XCV600-BG560 XILINX BGA | XCV600-BG560.pdf | |
![]() | AD4C111-E-HTR | AD4C111-E-HTR SSOUSA SOP-8 | AD4C111-E-HTR.pdf | |
![]() | JM38510-12302BEA | JM38510-12302BEA TI SMDDIP | JM38510-12302BEA.pdf | |
![]() | MA8036L MAZ803600L | MA8036L MAZ803600L PANASONIC SOD-323 | MA8036L MAZ803600L.pdf | |
![]() | KMMR18R88AC1-RK7 | KMMR18R88AC1-RK7 Samsung Tray | KMMR18R88AC1-RK7.pdf | |
![]() | 2512 5% 43R | 2512 5% 43R SUPEROHM SMD or Through Hole | 2512 5% 43R.pdf |