창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFS3004TRL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFS(L)3004 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.75m옴 @ 195A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 380W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001517570 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFS3004TRL | |
관련 링크 | AUIRFS3, AUIRFS3004TRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CC1206JRNPOBBN330 | 33pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206JRNPOBBN330.pdf | |
![]() | CBR02C330F9GAC | 33pF 6.3V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CBR02C330F9GAC.pdf | |
![]() | RCP2512W30R0JS3 | RES SMD 30 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W30R0JS3.pdf | |
![]() | V53C365805AT50 | V53C365805AT50 MOSEL TSOP | V53C365805AT50.pdf | |
![]() | AB28F200BRB | AB28F200BRB INTEL SOP44 | AB28F200BRB.pdf | |
![]() | DTZ3.0A (3V) | DTZ3.0A (3V) ROHM SMD or Through Hole | DTZ3.0A (3V).pdf | |
![]() | 16020103 | 16020103 MOLEX SMD or Through Hole | 16020103.pdf | |
![]() | IR-330T | IR-330T CONSIN SMD or Through Hole | IR-330T.pdf | |
![]() | DESI60 | DESI60 HITCHIA SMD or Through Hole | DESI60.pdf | |
![]() | DK-621-0411-S | DK-621-0411-S Raychem np | DK-621-0411-S.pdf | |
![]() | SGI-010-22222 | SGI-010-22222 SUNGMUN SMD or Through Hole | SGI-010-22222.pdf |