창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFR8403TRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRF(R,U)8403 | |
| 제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.1m옴 @ 76A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 99nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3171pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 99W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | IFAUIRFR8403TRL SP001518596 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFR8403TRL | |
| 관련 링크 | AUIRFR8, AUIRFR8403TRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | IDCP3916ER221M | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 530mA 720 mOhm Max Nonstandard | IDCP3916ER221M.pdf | |
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![]() | 1N4148, | 1N4148, ORIGINAL SMD or Through Hole | 1N4148,.pdf | |
![]() | D1C05D00 | D1C05D00 ORIGINAL SMD or Through Hole | D1C05D00.pdf | |
![]() | J280 | J280 HIT TO-262 | J280.pdf | |
![]() | X200A | X200A TI SOP8 | X200A.pdf | |
![]() | 9.6M | 9.6M ORIGINAL 49S | 9.6M.pdf | |
![]() | ET7019 | ET7019 ORIGINAL SMD or Through Hole | ET7019.pdf | |
![]() | WP-90449LI | WP-90449LI ORIGINAL DIP | WP-90449LI.pdf | |
![]() | 3EZ14D5 | 3EZ14D5 EIC DO-41 | 3EZ14D5.pdf | |
![]() | HY27US0812A-SPIB | HY27US0812A-SPIB HYNIX TSOP | HY27US0812A-SPIB.pdf |