창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFR3806 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRFR3806 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Add 6/Nov/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.8m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1150pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | SP001518142 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFR3806 | |
| 관련 링크 | AUIRFR, AUIRFR3806 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MRF8P20165WHSR5 | FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4 | MRF8P20165WHSR5.pdf | |
![]() | TNPW060313K0BEEA | RES SMD 13K OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060313K0BEEA.pdf | |
![]() | LP2965ES-2.5 | LP2965ES-2.5 NS EM68RB | LP2965ES-2.5.pdf | |
![]() | SSR33.86BR-ALP | SSR33.86BR-ALP ORIGINAL 3386kc | SSR33.86BR-ALP.pdf | |
![]() | TA5843 | TA5843 ORIGINAL DIP | TA5843.pdf | |
![]() | BYVB32-150 | BYVB32-150 VISHAY TO-263 | BYVB32-150.pdf | |
![]() | 320F2812GHHA | 320F2812GHHA TI BGA | 320F2812GHHA.pdf | |
![]() | UT4430L-S08-R | UT4430L-S08-R UTC SOP-8 | UT4430L-S08-R.pdf | |
![]() | UVX1C330MDA | UVX1C330MDA NICHICON DIP | UVX1C330MDA.pdf | |
![]() | ASP-111521-02 | ASP-111521-02 SAMTE SMD or Through Hole | ASP-111521-02.pdf | |
![]() | SC4509MLTRT | SC4509MLTRT SC MLP-12 | SC4509MLTRT.pdf |