창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFP4568 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRFP4568(-E) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 171A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.9m옴 @ 103A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 227nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10470pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 517W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | SP001519624 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFP4568 | |
| 관련 링크 | AUIRFP, AUIRFP4568 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
|  | VJ0805D270GXCAP | 27pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D270GXCAP.pdf | |
|  | CAT.1M100V | CAT.1M100V NSC DIPSOP | CAT.1M100V.pdf | |
|  | W08/183 | W08/183 TOSH SOT-183 | W08/183.pdf | |
|  | IR3500MTR | IR3500MTR IOR QFN | IR3500MTR.pdf | |
|  | MAX1338ETN+ | MAX1338ETN+ MAXIM QFN | MAX1338ETN+.pdf | |
|  | 1008HS-271TKBC | 1008HS-271TKBC ORIGINAL SMD or Through Hole | 1008HS-271TKBC.pdf | |
|  | CS23-12IO3 | CS23-12IO3 IXYS TO-48 | CS23-12IO3.pdf | |
|  | C76602AN2G | C76602AN2G TI DIP-64 | C76602AN2G.pdf | |
|  | CA45A B 1.5UF35V M | CA45A B 1.5UF35V M ORIGINAL SMD or Through Hole | CA45A B 1.5UF35V M.pdf | |
|  | FYL-3004GT1L | FYL-3004GT1L Foryard 2009 | FYL-3004GT1L.pdf | |
|  | 1DI200NP-120-01 | 1DI200NP-120-01 FUJI SMD or Through Hole | 1DI200NP-120-01.pdf | |
|  | 25V390000UF | 25V390000UF nippon SMD or Through Hole | 25V390000UF.pdf |