창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFN8405TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRFN8405 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PQFN 5x6 RoHS Compliance | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 95A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5142pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | SP001519644 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFN8405TR | |
| 관련 링크 | AUIRFN8, AUIRFN8405TR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MFR-25FRF52-5K36 | RES 5.36K OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FRF52-5K36.pdf | |
![]() | TMC1DC475M | TMC1DC475M HITACHI C | TMC1DC475M.pdf | |
![]() | HG-105A-D | HG-105A-D ORIGINAL SOT343 | HG-105A-D.pdf | |
![]() | 50MHZ JDS | 50MHZ JDS ORIGINAL 4P 7050 | 50MHZ JDS.pdf | |
![]() | RCV144ACFP | RCV144ACFP RACALDATACOM ORIGINAL | RCV144ACFP.pdf | |
![]() | 88MG877-AO-S | 88MG877-AO-S MARVELL QFN | 88MG877-AO-S.pdf | |
![]() | ADC08041CD | ADC08041CD ph SMD or Through Hole | ADC08041CD.pdf | |
![]() | ADG849YKSZ-RL7 | ADG849YKSZ-RL7 AD SC70-6 | ADG849YKSZ-RL7.pdf | |
![]() | P565MN33 | P565MN33 ORIGINAL DFN6 | P565MN33.pdf | |
![]() | 0603E332M160NT | 0603E332M160NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603E332M160NT.pdf | |
![]() | SH300AIML | SH300AIML SEMTECH QFN16 | SH300AIML.pdf | |
![]() | SF55-U22 | SF55-U22 ORIGINAL DO-27 | SF55-U22.pdf |