창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFN8403TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRFN8403 | |
| 주요제품 | AUIRFN8403 COOLiRFET™ | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 95A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3174pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 4.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | AUIRFN8403 SP001517906 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFN8403TR | |
| 관련 링크 | AUIRFN8, AUIRFN8403TR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | MAL215656183E3 | 18000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 41 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C | MAL215656183E3.pdf | |
![]() | MKP383375040JFP2B0 | 0.075µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | MKP383375040JFP2B0.pdf | |
![]() | P6KE8.2C | TVS DIODE 7.02VWM 12.71VC DO15 | P6KE8.2C.pdf | |
![]() | CR1206-FX-1333ELF | RES SMD 133K OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-1333ELF.pdf | |
![]() | PMB6850EV1.3 | PMB6850EV1.3 Infineon BGA | PMB6850EV1.3.pdf | |
![]() | 13542 | 13542 ORIGINAL SOP8 | 13542.pdf | |
![]() | S1M8656A01-F0T0 | S1M8656A01-F0T0 SAMSUNG QFN | S1M8656A01-F0T0.pdf | |
![]() | TIC263N | TIC263N TI/ TO-3P | TIC263N.pdf | |
![]() | 74ABT16952CMTD | 74ABT16952CMTD NATIONALSEMICONDUCTOR NA | 74ABT16952CMTD.pdf | |
![]() | B82789C0104N001 | B82789C0104N001 EPCOS SMD or Through Hole | B82789C0104N001.pdf |