창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFN7110TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRFN7110 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 58A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.5m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 74nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3050pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 4.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001517416 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRFN7110TR | |
관련 링크 | AUIRFN7, AUIRFN7110TR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
MAL215732561E3 | 560µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 425 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C | MAL215732561E3.pdf | ||
ECJ-1VB1E123K | 0.012µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | ECJ-1VB1E123K.pdf | ||
BSZ018NE2LSI | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | BSZ018NE2LSI.pdf | ||
HAT1204R-EL-E | HAT1204R-EL-E RENESAS SOP-8 | HAT1204R-EL-E.pdf | ||
W25P32VSIG | W25P32VSIG ORIGINAL SMD or Through Hole | W25P32VSIG.pdf | ||
ADG612 | ADG612 ADI SMD or Through Hole | ADG612.pdf | ||
G24071932207KIC000 | G24071932207KIC000 VISHAYIR SMD or Through Hole | G24071932207KIC000.pdf | ||
1N2453 | 1N2453 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1N2453.pdf | ||
MB504-BP | MB504-BP ORIGINAL SMD or Through Hole | MB504-BP.pdf | ||
DS25BR440TSQX/NOPB | DS25BR440TSQX/NOPB NS QUAD3.125LVDSBUFF | DS25BR440TSQX/NOPB.pdf | ||
54C90J | 54C90J NS DIP | 54C90J.pdf |