창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFB4610 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRF(B,S)4610 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 73A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 44A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3550pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001515858 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFB4610 | |
| 관련 링크 | AUIRFB, AUIRFB4610 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | GJM0225C1E8R5DB01L | 8.5pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GJM0225C1E8R5DB01L.pdf | |
![]() | PAT0805E6570BST1 | RES SMD 657 OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E6570BST1.pdf | |
![]() | LNK625DN | LNK625DN POWER SOP-7 | LNK625DN.pdf | |
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![]() | D33H902F947-25 | D33H902F947-25 cij SMD or Through Hole | D33H902F947-25.pdf | |
![]() | MB95F108ATSPFM-G-104E1 | MB95F108ATSPFM-G-104E1 FUJITSU TQFP | MB95F108ATSPFM-G-104E1.pdf | |
![]() | J306 | J306 SANYO TO-220 | J306.pdf | |
![]() | OA180AP-11-1WB | OA180AP-11-1WB ORIGINAL NEW | OA180AP-11-1WB.pdf | |
![]() | RQJ0303PGDQAH6 | RQJ0303PGDQAH6 renesas SMD or Through Hole | RQJ0303PGDQAH6.pdf |