창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF7739L2TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF7739L2TR(1) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | AUIRF7739L2TR1 Saber Model AUIRF7739L2TR1 Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Ta), 270A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1m옴 @ 160A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 330nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11880pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 L8 | |
공급 장치 패키지 | DIRECTFET L8 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001522042 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF7739L2TR | |
관련 링크 | AUIRF77, AUIRF7739L2TR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VJ0805D150KLXAJ | 15pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D150KLXAJ.pdf | ||
AF0805FR-071M4L | RES SMD 1.4M OHM 1% 1/8W 0805 | AF0805FR-071M4L.pdf | ||
A1335LLETR-DD-T | HIGH RESOLUTING ANGLE SENSOR | A1335LLETR-DD-T.pdf | ||
UCN4801A-2 | UCN4801A-2 ALLEGRO DIP | UCN4801A-2.pdf | ||
EPM9560RI304-20C | EPM9560RI304-20C ALTERA QFP | EPM9560RI304-20C.pdf | ||
MSM6755C-20GS-BK-113 | MSM6755C-20GS-BK-113 OKI QFP | MSM6755C-20GS-BK-113.pdf | ||
S3P9228AZZ-QER8 | S3P9228AZZ-QER8 SAMSUNG QFP | S3P9228AZZ-QER8.pdf | ||
D5CC881M50D1A4Q | D5CC881M50D1A4Q FUJ SMD or Through Hole | D5CC881M50D1A4Q.pdf | ||
C0805C473K5RAC | C0805C473K5RAC KEMET SMD or Through Hole | C0805C473K5RAC.pdf | ||
BCM7206 | BCM7206 ORIGINAL BGA | BCM7206.pdf | ||
CY7C122 | CY7C122 ORIGINAL SOP24 | CY7C122.pdf |