창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRF7648M2TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRF7648M2TR(1) | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | AUIRF7648M2TR1 Saber Model AUIRF7648M2TR1 Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta), 68A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 41A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.9V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2170pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 M4 | |
| 공급 장치 패키지 | DIRECTFET™ M4 | |
| 표준 포장 | 4,800 | |
| 다른 이름 | SP001521562 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRF7648M2TR | |
| 관련 링크 | AUIRF76, AUIRF7648M2TR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CW0101K600KE123 | RES 1.6K OHM 13W 10% AXIAL | CW0101K600KE123.pdf | |
![]() | MJ9091FE-R52 | RES 9.09K OHM 1/8W 1% AXIAL | MJ9091FE-R52.pdf | |
![]() | M67157-01R | M67157-01R OKUMA ZIP10 | M67157-01R.pdf | |
![]() | TFK-902 | TFK-902 TFK DIP-16 | TFK-902.pdf | |
![]() | CY93422ADMBC | CY93422ADMBC CY CDIP22 | CY93422ADMBC.pdf | |
![]() | PT1202E23D-ADJ | PT1202E23D-ADJ PowTech SOT23-5 | PT1202E23D-ADJ.pdf | |
![]() | F624S | F624S IR TO-263 | F624S.pdf | |
![]() | NDT011-W1A-AAAB-B | NDT011-W1A-AAAB-B TMEC SMD or Through Hole | NDT011-W1A-AAAB-B.pdf | |
![]() | TRJD226M020RNJ | TRJD226M020RNJ AVX D | TRJD226M020RNJ.pdf | |
![]() | 5G138 | 5G138 ORIGINAL JOP | 5G138.pdf | |
![]() | EDJ1116BASE-8C-E | EDJ1116BASE-8C-E ELPIDA BGA | EDJ1116BASE-8C-E.pdf | |
![]() | IRHNJ53Z30 | IRHNJ53Z30 IR SMD-0.5 | IRHNJ53Z30.pdf |