창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF7640S2TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF7640S2TR(1) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | AUIRF7640S2TR1 Saber Model AUIRF7640S2TR1 Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.8A(Ta), 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 SB | |
공급 장치 패키지 | DIRECTFET SB | |
표준 포장 | 4,800 | |
다른 이름 | SP001515728 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF7640S2TR | |
관련 링크 | AUIRF76, AUIRF7640S2TR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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GMB30200 | 7 ~ 40pF Trimmer Capacitor 175V Top Adjustment Through Hole 0.752" L x 0.375" W (19.10mm x 9.53mm) | GMB30200.pdf | ||
GL135F23IDT | 13.5MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL135F23IDT.pdf | ||
S0603-68NG3 | 68nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 370 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-68NG3.pdf | ||
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B3NA80 | B3NA80 ST TO-263 | B3NA80.pdf | ||
TSC232CE | TSC232CE TSC PDIP | TSC232CE.pdf | ||
TFDL1001 | TFDL1001 ORIGINAL Baby Face | TFDL1001.pdf | ||
GRM21BB10J475K11L | GRM21BB10J475K11L ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM21BB10J475K11L.pdf |