창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF7478QTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF7478Q | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Die Attach Material Chg 30/Oct/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 4.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1740pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001522778 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF7478QTR | |
관련 링크 | AUIRF74, AUIRF7478QTR 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
1N3214R | DIODE GEN PURP REV 600V 15A DO5 | 1N3214R.pdf | ||
CPR07820R0KE10 | RES 820 OHM 7W 10% RADIAL | CPR07820R0KE10.pdf | ||
FMI11N60GF | FMI11N60GF FUJI TO-263 | FMI11N60GF.pdf | ||
A500LM | A500LM GE SMD or Through Hole | A500LM.pdf | ||
IMP38C45ESD | IMP38C45ESD IMP SOP-14 | IMP38C45ESD.pdf | ||
L9015 | L9015 LRC SOT23 | L9015.pdf | ||
SFU606G | SFU606G SEMIWELL TO-251 | SFU606G.pdf | ||
6993, | 6993, ORIGINAL SOP8 | 6993,.pdf | ||
215R6VALA21GS | 215R6VALA21GS ATI BGA | 215R6VALA21GS.pdf | ||
250UT100 | 250UT100 AVAGO SMD or Through Hole | 250UT100.pdf | ||
TLC549P | TLC549P TI DIP8 | TLC549P.pdf | ||
BCR142/WZ | BCR142/WZ INF SOT-23 | BCR142/WZ.pdf |