창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF3710Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF3710Z(S) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 59A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001522092 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF3710Z | |
관련 링크 | AUIRF3, AUIRF3710Z 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
UPM2C2R2MPD | 2.2µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | UPM2C2R2MPD.pdf | ||
![]() | FDMS86102LZ | MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN | FDMS86102LZ.pdf | |
![]() | GMBT8050-E | GMBT8050-E GTM SOT-23 | GMBT8050-E.pdf | |
![]() | 36.11.9.003 | 36.11.9.003 ORIGINAL DIP-SOP | 36.11.9.003.pdf | |
![]() | 49ATD1T | 49ATD1T TI SOP28 | 49ATD1T.pdf | |
![]() | 508X | 508X ORIGINAL SOP8 | 508X.pdf | |
![]() | W25Q128 | W25Q128 QIJIA SMD or Through Hole | W25Q128.pdf | |
![]() | B57321V2102J060 | B57321V2102J060 EPCOS SMD or Through Hole | B57321V2102J060.pdf | |
![]() | ML62183MR | ML62183MR MDC SOT23 | ML62183MR.pdf | |
![]() | SPLB32A | SPLB32A ORIGINAL SMD or Through Hole | SPLB32A.pdf | |
![]() | M2S13TAJ 25.0000 | M2S13TAJ 25.0000 M-TRON SMD or Through Hole | M2S13TAJ 25.0000.pdf |