창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRF3205Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRF3205Z(S) | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 66A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001518518 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRF3205Z | |
| 관련 링크 | AUIRF3, AUIRF3205Z 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | BD179G | TRANS NPN 80V 3A TO-225 | BD179G.pdf | |
![]() | DM74LS55E | DM74LS55E NSC DIPSOP | DM74LS55E.pdf | |
![]() | CM05X7R681M50AH | CM05X7R681M50AH ORIGINAL SMD or Through Hole | CM05X7R681M50AH.pdf | |
![]() | VCR0199 | VCR0199 PAN ZIP6 | VCR0199.pdf | |
![]() | K3N5C118DE-GC12Y00 | K3N5C118DE-GC12Y00 SAMSUNG SOP | K3N5C118DE-GC12Y00.pdf | |
![]() | NCV8505D2T25R4 | NCV8505D2T25R4 FREE SMD or Through Hole | NCV8505D2T25R4.pdf | |
![]() | PA34 | PA34 APEXCIRRUS SMD or Through Hole | PA34.pdf | |
![]() | EBM2375V11 | EBM2375V11 PIC SOP | EBM2375V11.pdf | |
![]() | ST04-27F1-4063 | ST04-27F1-4063 Shindengen N A | ST04-27F1-4063.pdf | |
![]() | FU4105Z | FU4105Z IR I-pak | FU4105Z.pdf | |
![]() | 2DI150M-O5O | 2DI150M-O5O ORIGINAL GTR | 2DI150M-O5O.pdf |