창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF2804STRL7P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AUIRF2804(S,L) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6m옴 @ 160A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 260nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6930pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001519258 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AUIRF2804STRL7P | |
관련 링크 | AUIRF2804, AUIRF2804STRL7P 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | MKP1845468635 | 0.68µF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.984" Dia x 1.732" L (25.00mm x 44.00mm) | MKP1845468635.pdf | |
![]() | LQW31HN84NJ03L | 84nH Unshielded Wirewound Inductor 240mA 280 mOhm Max 1206 (3216 Metric) | LQW31HN84NJ03L.pdf | |
![]() | Y16259K09000A23W | RES SMD 9.09KOHM 0.05% 0.3W 1206 | Y16259K09000A23W.pdf | |
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![]() | CV3-1500 | CV3-1500 LEM SMD or Through Hole | CV3-1500.pdf | |
![]() | G6ZU-1PE-A-24V | G6ZU-1PE-A-24V OMRON SMD or Through Hole | G6ZU-1PE-A-24V.pdf | |
![]() | QD80C51 | QD80C51 INTEL DIP | QD80C51.pdf | |
![]() | 1W 120V | 1W 120V ST NA | 1W 120V.pdf | |
![]() | 43650-1210-P | 43650-1210-P ECL SMD or Through Hole | 43650-1210-P.pdf | |
![]() | N1863DH28 | N1863DH28 westcode module | N1863DH28.pdf | |
![]() | G71-Y-N-A2 | G71-Y-N-A2 nviDIA BGA | G71-Y-N-A2.pdf |