창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRF2804S-7P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRF2804S-7P | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6m옴 @ 160A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 260nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6930pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 330W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001521640 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRF2804S-7P | |
| 관련 링크 | AUIRF28, AUIRF2804S-7P 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ0805D2R1CLPAP | 2.1pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R1CLPAP.pdf | |
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![]() | SDRH5D28-220M | SDRH5D28-220M ORIGINAL SMD or Through Hole | SDRH5D28-220M.pdf | |
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![]() | EBG3365S | EBG3365S STL N A | EBG3365S.pdf | |
![]() | 0402/5.6NH | 0402/5.6NH ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402/5.6NH.pdf | |
![]() | 0805F 20R5 | 0805F 20R5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805F 20R5.pdf | |
![]() | TOA1300VPK4DKD | TOA1300VPK4DKD SAMSUNG SMD or Through Hole | TOA1300VPK4DKD.pdf |