창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ATP106-TL-H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ATP106 | |
| PCN 설계/사양 | Lead Frame Material Update 09/Apr/2014 Mold Compound/Lead Frame Chg 20/Jul/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | ATPY Wafer Fab Transfer 09/Sep/2014 Wafer Fab Site Addition 05/May/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1531 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1380pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | ATPAK(2 리드(lead)+탭) | |
| 공급 장치 패키지 | ATPAK | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 869-1075-2 ATP106-SPL ATP106TLH | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ATP106-TL-H | |
| 관련 링크 | ATP106, ATP106-TL-H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 416F5201XAAR | 52MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F5201XAAR.pdf | |
![]() | EP9W3K3J | RES 3.3K OHM 9W 5% AXIAL | EP9W3K3J.pdf | |
![]() | E05A01LA | E05A01LA EPSON DIP | E05A01LA.pdf | |
![]() | NL322522T-560J | NL322522T-560J TDK SMD or Through Hole | NL322522T-560J.pdf | |
![]() | 87768-024 | 87768-024 OUPONT OUPONT | 87768-024.pdf | |
![]() | 16V8H-5JC | 16V8H-5JC ORIGINAL PLCC | 16V8H-5JC.pdf | |
![]() | FHX13LGT | FHX13LGT FUJITSU SMD or Through Hole | FHX13LGT.pdf | |
![]() | MMBT9013CLT1G | MMBT9013CLT1G ON SOT-23 | MMBT9013CLT1G.pdf | |
![]() | MC413B | MC413B NULL NA | MC413B.pdf |