창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ASGTX-P-125.000MHZ-1-T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ASGTX Series ASGTX Drawing | |
| 3D 모델 | ASGTX.pdf ASGTX.stp | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | Abracon LLC | |
| 계열 | ASGTX | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | VCTCXO | |
| 주파수 | 125MHz | |
| 기능 | - | |
| 출력 | LVPECL | |
| 전압 - 공급 | 3.135 V ~ 3.465 V | |
| 주파수 안정도 | ±1ppm | |
| 작동 온도 | -30°C ~ 70°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 60mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.354" L x 0.276" W(9.00mm x 7.00mm) | |
| 높이 | 0.088"(2.24mm) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | - | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ASGTX-P-125.000MHZ-1-T2 | |
| 관련 링크 | ASGTX-P-125.0, ASGTX-P-125.000MHZ-1-T2 데이터 시트, Abracon LLC 에이전트 유통 | |
![]() | 402F19212IKR | 19.2MHz ±10ppm 수정 8pF 300옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F19212IKR.pdf | |
![]() | IMC1812EB3R9K | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 330mA 900 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812EB3R9K.pdf | |
![]() | MB3773PH-G-HNE1 | MB3773PH-G-HNE1 FUJITSU SMD or Through Hole | MB3773PH-G-HNE1.pdf | |
![]() | RD4.3ESB | RD4.3ESB ORIGINAL DO-34 | RD4.3ESB.pdf | |
![]() | A4806E5R-39Z | A4806E5R-39Z AIT SOT23-5 | A4806E5R-39Z.pdf | |
![]() | EA103C 100A | EA103C 100A FUJI SMD or Through Hole | EA103C 100A.pdf | |
![]() | 1623157-1 | 1623157-1 TYD SMD or Through Hole | 1623157-1.pdf | |
![]() | :37GB12V30RPM | :37GB12V30RPM ORIGINAL SMD or Through Hole | :37GB12V30RPM.pdf | |
![]() | 216Q9NFCGA13FN | 216Q9NFCGA13FN ATI BGA | 216Q9NFCGA13FN.pdf | |
![]() | TLE600997 | TLE600997 Infineon SOP16 | TLE600997.pdf | |
![]() | PEX8518-AA25BES-G | PEX8518-AA25BES-G PLXTECHNOLOGY SMD or Through Hole | PEX8518-AA25BES-G.pdf |