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Microsemi Corporation APTSM120AM55CT1AG

APTSM120AM55CT1AG
제조업체 부품 번호
APTSM120AM55CT1AG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
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POWER MODULE - SIC
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내부 부품 번호EIS-APTSM120AM55CT1AG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서APTSM120AM55CT1AG
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장벌크
부품 현황신제품
FET 유형2 N-chan(이중), 쇼트키
FET 특징실리콘 카바이드(SiC)
드레인 - 소스 전압(Vdss)1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C74A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs50m옴 @ 40A, 20V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 2mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs272nC @ 20V
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5120pF @ 1000V
전력 - 최대470W
작동 온도-40°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스SP1
공급 장치 패키지SP1
표준 포장 10
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)APTSM120AM55CT1AG
관련 링크APTSM120AM, APTSM120AM55CT1AG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통
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