창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM50UM25SG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM50UM25S | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 149A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 74.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 364nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 17500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | J3 모듈 | |
| 공급 장치 패키지 | 모듈 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM50UM25SG | |
| 관련 링크 | APTM50U, APTM50UM25SG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | AD8361ARM | RF Detector IC Cellular, CDMA, W-CDMA 100MHz ~ 2.5GHz 0 ~ 700mV ±0.25dB 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | AD8361ARM.pdf | |
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![]() | XC2S150FGG456-6C | XC2S150FGG456-6C ORIGINAL BGA456 | XC2S150FGG456-6C.pdf | |
![]() | PLT-18*-P | PLT-18*-P ORIGINAL SMD or Through Hole | PLT-18*-P.pdf | |
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