창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM50AM38STG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM50AM38STG Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1630 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 246nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 694W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP4 | |
| 공급 장치 패키지 | SP4 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM50AM38STG | |
| 관련 링크 | APTM50A, APTM50AM38STG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MALIEYH07LD433J02K | 3300µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 109 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | MALIEYH07LD433J02K.pdf | |
![]() | RT0603WRD0733RL | RES SMD 33 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRD0733RL.pdf | |
![]() | 4308H-101-181 | RES ARRAY 7 RES 180 OHM 8SIP | 4308H-101-181.pdf | |
![]() | 777DH3-10.000 | 777DH3-10.000 TOYOCOM SMD-4 | 777DH3-10.000.pdf | |
![]() | LQW2BHN82NG01L | LQW2BHN82NG01L ORIGINAL SMD or Through Hole | LQW2BHN82NG01L.pdf | |
![]() | SCZ900507AEG1 | SCZ900507AEG1 FREESCRL SOP24 | SCZ900507AEG1.pdf | |
![]() | PMI8733A | PMI8733A PMI CDIP-8 | PMI8733A.pdf | |
![]() | C1206JRNPO9BN100 | C1206JRNPO9BN100 YAGEO SMD | C1206JRNPO9BN100.pdf | |
![]() | D2913A | D2913A INTEL CDIP | D2913A.pdf | |
![]() | PIC16LF1936 | PIC16LF1936 Microchip QFN28P | PIC16LF1936.pdf | |
![]() | ML9661 | ML9661 ORIGINAL QFP | ML9661.pdf | |
![]() | 3ND1132 | 3ND1132 SIEMENS SMD or Through Hole | 3ND1132.pdf |