창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM20HM16FTG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM20HM16FTG Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널(H 브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 104A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 52A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7220pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 390W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP4 | |
| 공급 장치 패키지 | SP4 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM20HM16FTG | |
| 관련 링크 | APTM20H, APTM20HM16FTG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | TPSMB15A | TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC SMB AEQ | TPSMB15A.pdf | |
![]() | DP83220VB | DP83220VB NSC PLCC | DP83220VB.pdf | |
![]() | MT47H32M16BN-25E D | MT47H32M16BN-25E D MT BGA | MT47H32M16BN-25E D.pdf | |
![]() | BH014D0102JDA | BH014D0102JDA AVX DIP | BH014D0102JDA.pdf | |
![]() | S6D0119X01-BHCV | S6D0119X01-BHCV SAMSUNG SMD or Through Hole | S6D0119X01-BHCV.pdf | |
![]() | KPJ2535B-04-SMT | KPJ2535B-04-SMT KOREANA SMD or Through Hole | KPJ2535B-04-SMT.pdf | |
![]() | GRM188 2C1H4R0CZ01D | GRM188 2C1H4R0CZ01D MURATA N A | GRM188 2C1H4R0CZ01D.pdf | |
![]() | SAA7114E/N2 | SAA7114E/N2 PHI BGA | SAA7114E/N2.pdf | |
![]() | NE5560N. | NE5560N. S DIP16 | NE5560N..pdf | |
![]() | K1V11 | K1V11 SHINDENGEN SMD or Through Hole | K1V11.pdf | |
![]() | CMFC102H3200HANT | CMFC102H3200HANT FH SMD | CMFC102H3200HANT.pdf | |
![]() | LM4431M3-2.5TR | LM4431M3-2.5TR NS SMD or Through Hole | LM4431M3-2.5TR.pdf |