창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM20DUM05G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTM20DUM05G Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 317A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 158.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 448nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 27400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1136W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP6 | |
공급 장치 패키지 | SP6 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTM20DUM05G | |
관련 링크 | APTM20D, APTM20DUM05G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | LQW2BHNR10J03L | 100nH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 380 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LQW2BHNR10J03L.pdf | |
![]() | CRGH2512F28K | RES SMD 28K OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F28K.pdf | |
![]() | Z02W3.0VXRTK/P | Z02W3.0VXRTK/P KEC SMD or Through Hole | Z02W3.0VXRTK/P.pdf | |
![]() | F-29C98 | F-29C98 T QFP100 | F-29C98.pdf | |
![]() | 532433-5 | 532433-5 TYCO con | 532433-5.pdf | |
![]() | TEDH9-219D | TEDH9-219D ALPS SMD or Through Hole | TEDH9-219D.pdf | |
![]() | CM431AGBCM233TR | CM431AGBCM233TR CMT SOT23 | CM431AGBCM233TR.pdf | |
![]() | 15KP330A | 15KP330A VISHAY/LITTE R-6 | 15KP330A.pdf | |
![]() | VCT6973H-FA-B3 | VCT6973H-FA-B3 ORIGINAL SMD or Through Hole | VCT6973H-FA-B3.pdf | |
![]() | MMBT9018-7-F | MMBT9018-7-F DIODES SOT-23 | MMBT9018-7-F.pdf | |
![]() | RKE135 | RKE135 Raychem/Tyco DIP | RKE135.pdf |