창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM20DHM20TG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM20DHM20TG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 89A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 44.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 112nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6850pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 357W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP4 | |
| 공급 장치 패키지 | SP4 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM20DHM20TG | |
| 관련 링크 | APTM20D, APTM20DHM20TG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 1N4934-E3/54 | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL | 1N4934-E3/54.pdf | |
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![]() | 10NF-1206-C0G-25V-5%-CL31C103JAFNNNE | 10NF-1206-C0G-25V-5%-CL31C103JAFNNNE SAMSUNG SMD or Through Hole | 10NF-1206-C0G-25V-5%-CL31C103JAFNNNE.pdf | |
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