창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM20DHM20TG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM20DHM20TG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 89A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 44.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 112nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6850pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 357W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP4 | |
| 공급 장치 패키지 | SP4 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM20DHM20TG | |
| 관련 링크 | APTM20D, APTM20DHM20TG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CX2520SB13560D0GEJZ1 | 13.56MHz ±15ppm 수정 8pF 150옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2520SB13560D0GEJZ1.pdf | |
![]() | BUK9M24-60EX | MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK | BUK9M24-60EX.pdf | |
![]() | IHSM7832ER102L | 1mH Unshielded Inductor 510mA 2.42 Ohm Max Nonstandard | IHSM7832ER102L.pdf | |
![]() | CRGV2512F309K | RES SMD 309K OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F309K.pdf | |
![]() | 15913200 | 15913200 MOLEX Original Package | 15913200.pdf | |
![]() | K680K15C0GF5.H5 | K680K15C0GF5.H5 VISHAY DIP | K680K15C0GF5.H5.pdf | |
![]() | 7101SCWZQE | 7101SCWZQE C&K SMD or Through Hole | 7101SCWZQE.pdf | |
![]() | HMC630LP3 | HMC630LP3 HITTITE SMD or Through Hole | HMC630LP3.pdf | |
![]() | XL12W820MCYWPEC | XL12W820MCYWPEC HIT DIP | XL12W820MCYWPEC.pdf | |
![]() | FH12-10S-0.5SH(41) | FH12-10S-0.5SH(41) HRS SMD or Through Hole | FH12-10S-0.5SH(41).pdf | |
![]() | MAX4142CSA | MAX4142CSA MAX SOP-8 | MAX4142CSA.pdf | |
![]() | P16LSG03RJA | P16LSG03RJA ORIGINAL NA | P16LSG03RJA.pdf |