창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM20AM08FTG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTM20AM08FTG Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 208A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 104A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 280nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 781W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP4 | |
공급 장치 패키지 | SP4 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTM20AM08FTG | |
관련 링크 | APTM20A, APTM20AM08FTG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
GRM1555C1H6R6CZ01D | 6.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H6R6CZ01D.pdf | ||
RG3216V-1200-D-T5 | RES SMD 120 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216V-1200-D-T5.pdf | ||
74HC4050P | 74HC4050P TOSHIBA DIP-16 | 74HC4050P.pdf | ||
SB4 | SB4 Fisher SMD or Through Hole | SB4.pdf | ||
SCD0502T-1R0M-N | SCD0502T-1R0M-N NULL SMD or Through Hole | SCD0502T-1R0M-N.pdf | ||
HVC308ATRF | HVC308ATRF HITACHI SMD or Through Hole | HVC308ATRF.pdf | ||
RCILF0830GEZZ | RCILF0830GEZZ TOKO SMD or Through Hole | RCILF0830GEZZ.pdf | ||
FX8-120S-H1 | FX8-120S-H1 HRS SMD or Through Hole | FX8-120S-H1.pdf | ||
NNR100M16V5X11F | NNR100M16V5X11F NICCOMP DIP | NNR100M16V5X11F.pdf | ||
TMK105BJ682MV-F | TMK105BJ682MV-F TAIYO SMD or Through Hole | TMK105BJ682MV-F.pdf | ||
FPM2750QFN | FPM2750QFN RFMD QFN | FPM2750QFN.pdf | ||
K9F6408U0C-QCBO | K9F6408U0C-QCBO SAMSUNG TSOP | K9F6408U0C-QCBO.pdf |