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Microsemi Corporation APTM120H29FG

APTM120H29FG
제조업체 부품 번호
APTM120H29FG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
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APTM120H29FG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-APTM120H29FG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서APTM120H29FG
Power Products Catalog
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Microsemi Corporation
계열POWER MOS 7®
포장벌크
부품 현황유효
FET 유형4 N 채널(H 브리지)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C34A
Rds On(최대) @ Id, Vgs348m옴 @ 17A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 5mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs374nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds10300pF @ 25V
전력 - 최대780W
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스SP6
공급 장치 패키지SP6
표준 포장 1
다른 이름APTM120H29FGMI
APTM120H29FGMI-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)APTM120H29FG
관련 링크APTM120, APTM120H29FG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통
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