홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » APTM10HM09FT3G

Microsemi Corporation APTM10HM09FT3G

APTM10HM09FT3G
제조업체 부품 번호
APTM10HM09FT3G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
데이터 시트 다운로드
다운로드
APTM10HM09FT3G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 99,999.99999
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 APTM10HM09FT3G 재고가 있습니다. 우리는 Microsemi Corporation 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Microsemi Corporation 전자 부품 전문. APTM10HM09FT3G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. APTM10HM09FT3G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
APTM10HM09FT3G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
APTM10HM09FT3G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-APTM10HM09FT3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서APTM10HM09FT3G
Power Products Catalog
PCN 설계/사양SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장벌크
부품 현황유효
FET 유형4 N 채널(H 브리지)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C139A
Rds On(최대) @ Id, Vgs10m옴 @ 69.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 2.5mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs350nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds9875pF @ 25V
전력 - 최대390W
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스SP3
공급 장치 패키지SP3
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)APTM10HM09FT3G
관련 링크APTM10HM, APTM10HM09FT3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통
APTM10HM09FT3G 의 관련 제품
RES SMD 910 OHM 5% 3.9W 0603 RCP0603W910RJTP.pdf
RES 271K OHM 1/2W 1% AXIAL CMF55271K00FKEB.pdf
YF0801 ORIGINAL SMD or Through Hole YF0801.pdf
PBYR2040S ORIGINAL TO-263 PBYR2040S.pdf
216CNP4AKA21HK ATI SMD or Through Hole 216CNP4AKA21HK.pdf
KM684000ALP-5L SEC SMD or Through Hole KM684000ALP-5L.pdf
1N970B TR 24V ORIGINAL DO35 1N970B TR 24V.pdf
OPA2889IDGST BB/TI MSOP10 OPA2889IDGST.pdf
GD16544EF ORIGINAL SMD or Through Hole GD16544EF.pdf
SR160/SB160 SMS DO-41 SR160/SB160.pdf
898-1-R4，7K BI SMD or Through Hole 898-1-R4，7K.pdf