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Microsemi Corporation APTM10AM02FG

APTM10AM02FG
제조업체 부품 번호
APTM10AM02FG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
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APTM10AM02FG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-APTM10AM02FG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서APTM10AM02FG
Power Products Catalog
카탈로그 페이지 1630 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장벌크
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(하프브리지)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C495A
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.5m옴 @ 200A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 10mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1360nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds40000pF @ 25V
전력 - 최대1250W
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스SP6
공급 장치 패키지SP6
표준 포장 1
다른 이름APTM10AM02FGMI
APTM10AM02FGMI-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)APTM10AM02FG
관련 링크APTM10A, APTM10AM02FG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통
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