창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM100UM65SAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM100UM65SAG Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1630 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 145A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 78m옴 @ 72.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 20mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1068nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 28500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3250W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP6 | |
| 공급 장치 패키지 | SP6 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APTM100UM65SAGMI APTM100UM65SAGMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM100UM65SAG | |
| 관련 링크 | APTM100U, APTM100UM65SAG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 74AS245N | 74AS245N NS DIP | 74AS245N.pdf | |
![]() | 0603USOCH | 0603USOCH TASUND SMD or Through Hole | 0603USOCH.pdf | |
![]() | Z86E3016VEG | Z86E3016VEG ZILOG PLCC | Z86E3016VEG.pdf | |
![]() | ACL2520L-150K-T | ACL2520L-150K-T TDK SMD | ACL2520L-150K-T.pdf | |
![]() | 2311B | 2311B HARRIS TSSOP | 2311B.pdf | |
![]() | HSMN-A101-N8YJ1 | HSMN-A101-N8YJ1 AVAGO SMD or Through Hole | HSMN-A101-N8YJ1.pdf | |
![]() | D1202 | D1202 Crydom SMD or Through Hole | D1202.pdf | |
![]() | P2141-5 | P2141-5 INTEL DIP-18 | P2141-5.pdf | |
![]() | 28FMN-BMTTN-TFT | 28FMN-BMTTN-TFT JST SMD or Through Hole | 28FMN-BMTTN-TFT.pdf | |
![]() | FXR2W392YE | FXR2W392YE ORIGINAL SMD or Through Hole | FXR2W392YE.pdf | |
![]() | NMD050505S | NMD050505S C&D ZIP | NMD050505S.pdf | |
![]() | C0603C101G2GACTU | C0603C101G2GACTU KEMET SMD | C0603C101G2GACTU.pdf |