홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » APTM100A13DG

Microsemi Corporation APTM100A13DG

APTM100A13DG
제조업체 부품 번호
APTM100A13DG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
데이터 시트 다운로드
다운로드
APTM100A13DG 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 99,999.99999
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 APTM100A13DG 재고가 있습니다. 우리는 Microsemi Corporation 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Microsemi Corporation 전자 부품 전문. APTM100A13DG 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. APTM100A13DG가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
APTM100A13DG 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
APTM100A13DG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-APTM100A13DG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서APTM100A13DG
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장벌크
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(하프브리지)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)1000V(1kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C65A
Rds On(최대) @ Id, Vgs156m옴 @ 32.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 6mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs562nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds15200pF @ 25V
전력 - 최대1250W
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스SP6
공급 장치 패키지SP6
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)APTM100A13DG
관련 링크APTM100, APTM100A13DG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통
APTM100A13DG 의 관련 제품
SIGNAL CONDITIONING LFD18859MDP1A102.pdf
MC74F158AMEL MOT SMD or Through Hole MC74F158AMEL.pdf
WO1994 TOSHIBA SIP-10 WO1994.pdf
STP3NB80FP ST TO-220F STP3NB80FP.pdf
LGC200010-0 ORIGINAL SMD or Through Hole LGC200010-0.pdf
SSP21110-620/621 DDC DIP SSP21110-620/621.pdf
LM158AH-LQMLV 5962L8771002VGA NSC SMD or Through Hole LM158AH-LQMLV 5962L8771002VGA.pdf
UMR12/R12 ROHM SOT-363 UMR12/R12.pdf
TLP621-D4-GR-TP1 TOSHIBA DIP4 TLP621-D4-GR-TP1.pdf
MBR1045G-ON ORIGINAL SMD or Through Hole MBR1045G-ON.pdf
AD365BM AD DIP AD365BM.pdf
LP6227B6F LOWPOWER SOT23-6 LP6227B6F.pdf