창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTGV75H60T3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTGV75H60T3G Power Products Catalog | |
PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Power Module Disc 23/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
IGBT 유형 | NPT, 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 풀 브리지 인버터 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100A | |
전력 - 최대 | 250W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 75A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 4.62nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 있음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP3 | |
공급 장치 패키지 | SP3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTGV75H60T3G | |
관련 링크 | APTGV75, APTGV75H60T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
54061503400 | 15nH Unshielded Wirewound Inductor 710mA 55 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | 54061503400.pdf | ||
CSSH2728FT50L0 | RES SMD 0.05 OHM 4W 2827 WIDE | CSSH2728FT50L0.pdf | ||
P51-750-S-Y-I36-5V-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-750-S-Y-I36-5V-000-000.pdf | ||
IM16400 | IM16400 ORIGINAL SMD or Through Hole | IM16400.pdf | ||
VBUS054B-HS3-V-GS08 | VBUS054B-HS3-V-GS08 VISHAY LLP75-6A | VBUS054B-HS3-V-GS08.pdf | ||
ESDA6V1FU8 | ESDA6V1FU8 ST SMD or Through Hole | ESDA6V1FU8.pdf | ||
2SC6372 DKQ | 2SC6372 DKQ ZTJ SOT-89 | 2SC6372 DKQ.pdf | ||
LE28FW8203F70T-TLM-E | LE28FW8203F70T-TLM-E ORIGINAL QFP | LE28FW8203F70T-TLM-E.pdf | ||
LH0036CG | LH0036CG NSC CAN12 | LH0036CG.pdf | ||
RN1501/XA | RN1501/XA TOSHIBA SOT-153 SOT-23-5 | RN1501/XA.pdf | ||
CY7C1313V18-200BZC | CY7C1313V18-200BZC CYPRESS BGA | CY7C1313V18-200BZC.pdf | ||
CL32B224JBNE | CL32B224JBNE SAMSUNG SMD or Through Hole | CL32B224JBNE.pdf |