창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTGV75H60T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTGV75H60T3G Power Products Catalog | |
| PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Power Module Disc 23/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| IGBT 유형 | NPT, 트렌치 필드 스톱 | |
| 구성 | 풀 브리지 인버터 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100A | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 75A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 4.62nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 있음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTGV75H60T3G | |
| 관련 링크 | APTGV75, APTGV75H60T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| UKT1H102MHD | 1000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UKT1H102MHD.pdf | ||
| GBU8G | DIODE BRIDGE 400V 8A GBU | GBU8G.pdf | ||
![]() | 29L4634 | 29L4634 ORIGINAL QFP | 29L4634.pdf | |
![]() | 22552261 | 22552261 MOLEX NA | 22552261.pdf | |
![]() | 5015912211 | 5015912211 MOLEX SMD | 5015912211.pdf | |
![]() | GT1S20N60C3R | GT1S20N60C3R ORIGINAL SMD or Through Hole | GT1S20N60C3R.pdf | |
![]() | LT61AI33 | LT61AI33 LINEAR SOIC-8 | LT61AI33.pdf | |
![]() | MN84504 | MN84504 Panasonic BGA | MN84504.pdf | |
![]() | WF73-3 | WF73-3 KOR QFP | WF73-3.pdf | |
![]() | MAX6370KA+T | MAX6370KA+T MAXIM SOT23-8 | MAX6370KA+T.pdf | |
![]() | C2012CH1H153JT | C2012CH1H153JT TDK SMD or Through Hole | C2012CH1H153JT.pdf | |
![]() | AAT3216IGV-2.5-T1. | AAT3216IGV-2.5-T1. AAT SMD or Through Hole | AAT3216IGV-2.5-T1..pdf |