창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTGV50H60T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTGV50H60T3G | |
| PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Power Module Disc 23/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| IGBT 유형 | NPT, 트렌치 필드 스톱 | |
| 구성 | 풀 브리지 인버터 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80A | |
| 전력 - 최대 | 176W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 있음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTGV50H60T3G | |
| 관련 링크 | APTGV50, APTGV50H60T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | BK/MDA-V-1/8 | FUSE CERM 125MA 250VAC 3AB 3AG | BK/MDA-V-1/8.pdf | |
![]() | EVNDDAA03BQ3 | EVNDDAA03BQ3 MATSUSHITA SMD or Through Hole | EVNDDAA03BQ3.pdf | |
![]() | UT1025-C T/B | UT1025-C T/B UTC TO-92 | UT1025-C T/B.pdf | |
![]() | 251.500NRT1L | 251.500NRT1L LITTELFUSE DIP | 251.500NRT1L.pdf | |
![]() | 1178H-DB | 1178H-DB LUCENT QFP | 1178H-DB.pdf | |
![]() | DW84C24NND03 | DW84C24NND03 ORIGINAL WBFBP-03B(1.21.20. | DW84C24NND03.pdf | |
![]() | 5082-3077#T50 | 5082-3077#T50 AVAGO SMD or Through Hole | 5082-3077#T50.pdf | |
![]() | UL12161A | UL12161A HIT SMD or Through Hole | UL12161A.pdf | |
![]() | 2SD1422 | 2SD1422 RENESAS SOT89 | 2SD1422.pdf | |
![]() | J1956M | J1956M SIEMENS SMD or Through Hole | J1956M.pdf | |
![]() | MCP508AP | MCP508AP BB/TI DIP16 | MCP508AP.pdf | |
![]() | VL18-2T2430 | VL18-2T2430 SICK SMD or Through Hole | VL18-2T2430.pdf |