창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTGV50H60BG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTGV50H60BG Power Products Catalog | |
| PCN 부품 상태 변경 | Power Module Disc 23/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| IGBT 유형 | NPT, 트렌치 필드 스톱 | |
| 구성 | 부스트 초퍼, 풀브리지 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80A | |
| 전력 - 최대 | 176W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 없음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP4 | |
| 공급 장치 패키지 | SP4 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTGV50H60BG | |
| 관련 링크 | APTGV50, APTGV50H60BG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F2501XALT | 25MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F2501XALT.pdf | |
| BAS85-GS18 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80 | BAS85-GS18.pdf | ||
![]() | S1FLG-GS18 | DIODE SW 400V DO-219AB | S1FLG-GS18.pdf | |
![]() | TFPT1206L6800FM | PTC Thermistor 680 Ohm 1206 (3216 Metric) | TFPT1206L6800FM.pdf | |
![]() | S29AL032D70TFI3_5 | S29AL032D70TFI3_5 AMD SMD or Through Hole | S29AL032D70TFI3_5.pdf | |
![]() | 1N4754A-TAP//BZV85-C39 | 1N4754A-TAP//BZV85-C39 NXP DO-41 | 1N4754A-TAP//BZV85-C39.pdf | |
![]() | CM1218-02ST | CM1218-02ST ON SOT-23 | CM1218-02ST.pdf | |
![]() | MOC2601 | MOC2601 FAI DIP | MOC2601.pdf | |
![]() | KT2201MS10J | KT2201MS10J EMC MSOP-10 | KT2201MS10J.pdf | |
![]() | DF04056B12U-065 | DF04056B12U-065 AVC SMD or Through Hole | DF04056B12U-065.pdf | |
![]() | SSM3K12T(TE85L | SSM3K12T(TE85L TOSHIBA PBFREE | SSM3K12T(TE85L.pdf | |
![]() | 62881 | 62881 ORIGINAL SMD or Through Hole | 62881.pdf |