창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTGT75DA60T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTGT75DA60T1G Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 단일 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100A | |
전력 - 최대 | 250W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 75A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 4.62nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 있음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP1 | |
공급 장치 패키지 | SP1 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTGT75DA60T1G | |
관련 링크 | APTGT75D, APTGT75DA60T1G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
RCE5C1H3R0C0A2H03B | 3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C1H3R0C0A2H03B.pdf | ||
MKP1848635094Y2 | 35µF Film Capacitor 900V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.378" W (57.50mm x 35.00mm) | MKP1848635094Y2.pdf | ||
402F300XXCDT | 30MHz ±15ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F300XXCDT.pdf | ||
CMF5513K000FEEA | RES 13K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5513K000FEEA.pdf | ||
ME6401C28&C18M6G | ME6401C28&C18M6G ME SMD or Through Hole | ME6401C28&C18M6G.pdf | ||
TCM809LENB713/J122 | TCM809LENB713/J122 MICROCHI SOT-23 | TCM809LENB713/J122.pdf | ||
27HC641-45N | 27HC641-45N PHILIPS CDIP24 | 27HC641-45N.pdf | ||
UPF1E121MPH | UPF1E121MPH NICHICON DIP | UPF1E121MPH.pdf | ||
2695-03RP (0022013037) | 2695-03RP (0022013037) MOLEX SMD or Through Hole | 2695-03RP (0022013037).pdf | ||
L2435T | L2435T NS SMD or Through Hole | L2435T.pdf | ||
P8155H (used) | P8155H (used) INTEL SMD or Through Hole | P8155H (used).pdf |