창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTGT50A120D1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 하프브리지 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 75A | |
전력 - 최대 | 270W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 5mA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 3.6nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 없음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | D1 | |
공급 장치 패키지 | D1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTGT50A120D1G | |
관련 링크 | APTGT50A, APTGT50A120D1G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
VJ0805D910JLPAJ | 91pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D910JLPAJ.pdf | ||
416F48025IKR | 48MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48025IKR.pdf | ||
Y16070R50000F9W | RES SMD 0.5 OHM 1/2W 2516 WIDE | Y16070R50000F9W.pdf | ||
CRCW251290K9FKEGHP | RES SMD 90.9K OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW251290K9FKEGHP.pdf | ||
CB3JB3R60 | RES 3.6 OHM 3W 5% CERAMIC WW | CB3JB3R60.pdf | ||
CMF555M6000JNR6 | RES 5.6M OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF555M6000JNR6.pdf | ||
M4LV-64/32-7JC | M4LV-64/32-7JC AMD SMD or Through Hole | M4LV-64/32-7JC.pdf | ||
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CM105X7R471K50AT | CM105X7R471K50AT AVX SMD or Through Hole | CM105X7R471K50AT.pdf | ||
AZ1085D-3.3EI | AZ1085D-3.3EI BCD TO252 | AZ1085D-3.3EI.pdf | ||
SSG25C50YA | SSG25C50YA SanRex STUD | SSG25C50YA.pdf | ||
ADC12DC105CISQE/NOPB | ADC12DC105CISQE/NOPB ADI SMD or Through Hole | ADC12DC105CISQE/NOPB.pdf |