창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTGT150SK170G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTGT150SK170G Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 단일 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1700V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 250A | |
전력 - 최대 | 890W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 150A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 350µA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 13.5nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 없음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP6 | |
공급 장치 패키지 | SP6 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTGT150SK170G | |
관련 링크 | APTGT150, APTGT150SK170G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
C315C103K1R5TA | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | C315C103K1R5TA.pdf | ||
RJK6024DPH-E0#T2 | MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK | RJK6024DPH-E0#T2.pdf | ||
82801JB | 82801JB INTEL BGA | 82801JB.pdf | ||
X3S026000BZ1HZ-HU | X3S026000BZ1HZ-HU ORIGINAL BGA | X3S026000BZ1HZ-HU.pdf | ||
UMF32N205 | UMF32N205 ROHM DIPSOP | UMF32N205.pdf | ||
AYL-AU70P-C1-G V1.1 | AYL-AU70P-C1-G V1.1 ORIGINAL PCB | AYL-AU70P-C1-G V1.1.pdf | ||
100-50 | 100-50 ORIGINAL SMD or Through Hole | 100-50.pdf | ||
BDW3.5/8.9-4S2 | BDW3.5/8.9-4S2 Ferroxcube B | BDW3.5/8.9-4S2.pdf | ||
162.6185.440x | 162.6185.440x lfa SMD or Through Hole | 162.6185.440x.pdf | ||
G682945L SL8V4 | G682945L SL8V4 INTEL SMD or Through Hole | G682945L SL8V4.pdf | ||
MC44354DWR2G | MC44354DWR2G ONS SOP20 | MC44354DWR2G.pdf | ||
E3Z-B81 2M | E3Z-B81 2M ICS ZCAT | E3Z-B81 2M.pdf |