창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTGF50VDA120T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTGF50VDA120T3G | |
| PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Power Module Disc 23/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| IGBT 유형 | NPT | |
| 구성 | 이중 부스트 초퍼 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 70A | |
| 전력 - 최대 | 312W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 3.45nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 있음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTGF50VDA120T3G | |
| 관련 링크 | APTGF50VD, APTGF50VDA120T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ALXD800EEXJ2VD_C3 | ALXD800EEXJ2VD_C3 AMDECCN SMD or Through Hole | ALXD800EEXJ2VD_C3.pdf | |
![]() | 1N5820RL | 1N5820RL MOT DIODE | 1N5820RL.pdf | |
![]() | TDA4173 | TDA4173 NXP DIP | TDA4173.pdf | |
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![]() | ADM202JRM | ADM202JRM AD SOP16 | ADM202JRM.pdf | |
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![]() | CQ1585RT | CQ1585RT FAIRCHILD TO-220 | CQ1585RT.pdf | |
![]() | 88EC005-8AM | 88EC005-8AM MARVELL BGA | 88EC005-8AM.pdf | |
![]() | 3C1850DH9SK91 | 3C1850DH9SK91 SAMSUNG SMD | 3C1850DH9SK91.pdf |