창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTGF50DSK60T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTGF50DSK60T3G Power Products Catalog | |
| PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Power Module Disc 23/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| IGBT 유형 | NPT | |
| 구성 | 이중 벅 초퍼 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 65A | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 50A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 2.2nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 있음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTGF50DSK60T3G | |
| 관련 링크 | APTGF50DS, APTGF50DSK60T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RG2012N-152-W-T5 | RES SMD 1.5K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-152-W-T5.pdf | |
![]() | STW5NB100(TO/247 ) | STW5NB100(TO/247 ) ORIGINAL TO-247 | STW5NB100(TO/247 ).pdf | |
![]() | C5750X7R2A105MT000N | C5750X7R2A105MT000N TDK SMD or Through Hole | C5750X7R2A105MT000N.pdf | |
![]() | RK73K2BJTD680R | RK73K2BJTD680R KOA/ SMD or Through Hole | RK73K2BJTD680R.pdf | |
![]() | 15328107 | 15328107 DELPHI con | 15328107.pdf | |
![]() | DC0402-68UH | DC0402-68UH HZ SMD or Through Hole | DC0402-68UH.pdf | |
![]() | DS0026AJ | DS0026AJ NSC CDIP14 | DS0026AJ.pdf | |
![]() | K4S56163PF-BG750JR | K4S56163PF-BG750JR SAMSUNG BGA | K4S56163PF-BG750JR.pdf | |
![]() | 34.2000C | 34.2000C X SMDDIP | 34.2000C.pdf | |
![]() | C65412Y | C65412Y ORIGINAL DIP-40L | C65412Y.pdf | |
![]() | 74HC11D.653 | 74HC11D.653 NXP SMD or Through Hole | 74HC11D.653.pdf |