창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTC60TDUM35PG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTC60TDUM35PG Power Products Catalog | |
카탈로그 페이지 | 1630 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 6 N-Chan(3상 브리지) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 72A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 72A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 5.4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 518nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 416W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP6 | |
공급 장치 패키지 | SP6-P | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTC60TDUM35PG | |
관련 링크 | APTC60TD, APTC60TDUM35PG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 600S390FT250XT | 39pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 600S390FT250XT.pdf | |
![]() | VJ1808A682JBAAT4X | 6800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A682JBAAT4X.pdf | |
![]() | 416F26023ALR | 26MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26023ALR.pdf | |
![]() | Y00122R00000F0L | RES 2 OHM 1.5W 1% RADIAL | Y00122R00000F0L.pdf | |
![]() | AS6122(X) | AS6122(X) ASIC SOP24 | AS6122(X).pdf | |
![]() | FST-4 | FST-4 ORIGINAL SMD or Through Hole | FST-4.pdf | |
![]() | RP-2412S/P | RP-2412S/P ORIGINAL DC DC converter | RP-2412S/P.pdf | |
![]() | MM2022SD9104MBGDF50 | MM2022SD9104MBGDF50 ORIGINAL SMD or Through Hole | MM2022SD9104MBGDF50.pdf | |
![]() | HY62V8100BLLT2-70 | HY62V8100BLLT2-70 HYUNDAI TSOP | HY62V8100BLLT2-70.pdf | |
![]() | 25Q16CVSAG | 25Q16CVSAG WINBOND SOP8 | 25Q16CVSAG.pdf | |
![]() | PE23Z128 | PE23Z128 FIL-MAG DIP | PE23Z128.pdf | |
![]() | K7N803601M-PC20 | K7N803601M-PC20 SAMSUNG TQFP | K7N803601M-PC20.pdf |