창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTC60HM83FT2G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTC60HM83FT2G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 83m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 3mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 255nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7290pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 모듈 | |
| 공급 장치 패키지 | 모듈 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTC60HM83FT2G | |
| 관련 링크 | APTC60HM, APTC60HM83FT2G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SC53FU-330 | 33µH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 430 mOhm Max Nonstandard | SC53FU-330.pdf | |
![]() | IMC1210EB121K | 120µH Unshielded Wirewound Inductor 70mA 11 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210EB121K.pdf | |
![]() | OP177CP | OP177CP AD DIP-8 | OP177CP.pdf | |
![]() | R1116N221B-TR-F | R1116N221B-TR-F RICOH SOT23-5 | R1116N221B-TR-F.pdf | |
![]() | X28C512DM-12/883B | X28C512DM-12/883B XICOR CDIP | X28C512DM-12/883B.pdf | |
![]() | 14948-503 | 14948-503 AMIS QFN | 14948-503.pdf | |
![]() | DIP-7.5K | DIP-7.5K A/N SMD or Through Hole | DIP-7.5K.pdf | |
![]() | 232219514471 | 232219514471 VISHAY SMD or Through Hole | 232219514471.pdf | |
![]() | AMSRB-7809-NZ | AMSRB-7809-NZ Aimtec SIP3 | AMSRB-7809-NZ.pdf | |
![]() | 1210-4.75R | 1210-4.75R ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210-4.75R.pdf | |
![]() | 9995#52 | 9995#52 AVAGO SIP-4 | 9995#52.pdf |