창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTC60DDAM35T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTC60DDAM35T3G Power Products Catalog | |
| PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1630 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 72A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 72A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 5.4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 518nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 416W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APTC60DDAM35T3GMP APTC60DDAM35T3GMP-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTC60DDAM35T3G | |
| 관련 링크 | APTC60DDA, APTC60DDAM35T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CRG0805F15K | RES SMD 15K OHM 1% 1/8W 0805 | CRG0805F15K.pdf | |
![]() | MCS04020D1962BE100 | RES SMD 19.6KOHM 0.1% 1/16W 0402 | MCS04020D1962BE100.pdf | |
![]() | RCS08053R74FKEA | RES SMD 3.74 OHM 1% 0.4W 0805 | RCS08053R74FKEA.pdf | |
![]() | KTY81/150,112 | PTC Thermistor 1k Ohm TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) | KTY81/150,112.pdf | |
![]() | YD2025H | YD2025H YD SMD or Through Hole | YD2025H.pdf | |
![]() | L-3WSRKSGW-CA | L-3WSRKSGW-CA KINGBRIGHT 2009 | L-3WSRKSGW-CA.pdf | |
![]() | MB515T/R | MB515T/R PANJIT SMCDO-214AB | MB515T/R.pdf | |
![]() | SAB83C515B4NT3 | SAB83C515B4NT3 sie SMD or Through Hole | SAB83C515B4NT3.pdf | |
![]() | HCPL600 | HCPL600 ebv SMD or Through Hole | HCPL600.pdf | |
![]() | DF40C-50DP-0.4V(51) | DF40C-50DP-0.4V(51) HIROSEELECTRIC CALL | DF40C-50DP-0.4V(51).pdf | |
![]() | LT1171CS8#TR | LT1171CS8#TR LT SOP-8 | LT1171CS8#TR.pdf |