창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT60M80JVR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT60M80JVR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS V® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 55A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 870nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 568W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT60M80JVR | |
| 관련 링크 | APT60M, APT60M80JVR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW25123M40FKTG | RES SMD 3.4M OHM 1% 1W 2512 | CRCW25123M40FKTG.pdf | |
![]() | CRCW2010392KFKEFHP | RES SMD 392K OHM 1% 1W 2010 | CRCW2010392KFKEFHP.pdf | |
![]() | RCP1206B120RGWB | RES SMD 120 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B120RGWB.pdf | |
![]() | TEFSVJ0G476MS8RQS | TEFSVJ0G476MS8RQS NEC SMD or Through Hole | TEFSVJ0G476MS8RQS.pdf | |
![]() | PR15004 | PR15004 ORIGINAL DO-41 | PR15004.pdf | |
![]() | MB504PF-G-BND-ER | MB504PF-G-BND-ER FUJ SOP-8 | MB504PF-G-BND-ER.pdf | |
![]() | PF356-AR1020 | PF356-AR1020 SPECTK TSOP | PF356-AR1020.pdf | |
![]() | L162-102-0537 | L162-102-0537 SAMYOUNG 2000R | L162-102-0537.pdf | |
![]() | UM9508P | UM9508P UMC DIP16 | UM9508P.pdf | |
![]() | CEUSM1E221-T4 | CEUSM1E221-T4 MARC SMD or Through Hole | CEUSM1E221-T4.pdf |