창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT56M50L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT56M50(B2,L) | |
카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 28A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 220nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 780W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | TO-264 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APT56M50LMI APT56M50LMI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT56M50L | |
관련 링크 | APT56, APT56M50L 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
HS50 R82 J | RES CHAS MNT 0.82 OHM 5% 50W | HS50 R82 J.pdf | ||
EL2039J/883B | EL2039J/883B ELANTEC CDIP14 | EL2039J/883B.pdf | ||
IT8512E (CXO) | IT8512E (CXO) ITE QFP | IT8512E (CXO).pdf | ||
2SK3000ZY-TL | 2SK3000ZY-TL RENESAS SOT23MPAK | 2SK3000ZY-TL.pdf | ||
LG8658-03A-5B09 | LG8658-03A-5B09 LG DIP52 | LG8658-03A-5B09.pdf | ||
LQP31A4N7J04 | LQP31A4N7J04 MARATA SMD or Through Hole | LQP31A4N7J04.pdf | ||
AT49LV002N-12TI | AT49LV002N-12TI ATMEL TSOP | AT49LV002N-12TI.pdf | ||
SC503434FU | SC503434FU MOT QFP | SC503434FU.pdf | ||
QG6311 SL97N | QG6311 SL97N INTEL BGA | QG6311 SL97N.pdf | ||
RSLD035-12 | RSLD035-12 ORIGINAL SMD or Through Hole | RSLD035-12.pdf | ||
YD-DGC-30-CX4-1S-TP | YD-DGC-30-CX4-1S-TP ORIGINAL SMD or Through Hole | YD-DGC-30-CX4-1S-TP.pdf | ||
2N1986 | 2N1986 ST/ON/MOT TO-39 | 2N1986.pdf |